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金属氧化物半导体集成电
拼音：jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ jí chéng diàn lù
注音：ㄐ一ㄣ ㄕㄨˇ 一ㄤˇ ㄏㄨㄚˋ ㄨˋ ㄅㄢˋ ㄉㄠˇ ㄊ一ˇ ㄐ一ˊ ㄔㄥˊ ㄉ一ㄢˋ ㄌㄨˋ
首字母：J
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组词
金 属 氧 化 物 半 导 体 集 成 电 路
词语解释
⒈ 简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路（cmos）。应用广泛。